场效应管(FET)，也称为场型效应晶体管，是半导体元件之一。其制作工艺单一，可靠性较高，主要由衬底、门型电极和漏极等相互作用的半导体构成。场效应管的作用主要体现在以下两个方面：
作用一：放大信号
场效应管具有较高的放大系数、输入电阻大、对电源电压变化的依赖性小等优点，主要应用在各类放大电路中。比如用于振荡电路的谐振器、低噪声放大器、交叉耦合振荡器、绝缘栅场效应管(IGFET)等。
作用二：切换电路
场效应管还可以作为开关元件，一般用于高频信号的切换电路。由于场效应管的电容很小，所以开关速度相对较快。常见的应用包括积分放大器、振荡器中的开关、各类控制系统中使用的信号切换等。
除了以上两种主要作用，场效应管还有其他应用范围，如用于机载雷达测速计中，用于放大输直流电流及其它小信号的电路中，作为电流源，亦可在电源线上作VHF干扰源。总之，场效应管不仅有很广泛的应用范围，而且在很多领域都是不可或缺的重要元件。
